casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMS3016SSS-13
Número de pieza del fabricante | DMS3016SSS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMS3016SSS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMS3016SSS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 9.8A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 9.8A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.3V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 43nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1849pF @ 15V |
Característica FET | Schottky Diode (Body) |
Disipación de potencia (max) | 1.54W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-SO |
Paquete / Caja | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMS3016SSS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMS3016SSS-13-FT |
DMPH3010LK3-13
Diodes Incorporated
DMPH4015SK3-13
Diodes Incorporated
ZXMN10A11KTC
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Diodes Incorporated
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A1415A-PQ100I
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A10V20B-PL68C
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EP4S100G3F45I3N
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XC4028XL-09HQ208C
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XC2VP2-6FFG672C
Xilinx Inc.
LCMXO640E-3MN100C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE80F780C4
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EPF10K30AQC208-1N
Intel