casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN63D8LDWQ-7
Número de pieza del fabricante | DMN63D8LDWQ-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN63D8LDWQ-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN63D8LDWQ-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 220mA |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 2.8 Ohm @ 250mA, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 0.87nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 22pF @ 25V |
Potencia - max | 300mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN63D8LDWQ-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN63D8LDWQ-7-FT |
DMC3021LK4-13
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Diodes Incorporated
XA6SLX16-3FTG256I
Xilinx Inc.
LCMXO3L-9400E-6BG484C
Lattice Semiconductor Corporation
A3PN125-2VQG100I
Microsemi Corporation
AGLN060V2-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE115F23C7
Intel
XC2V1000-4FFG896I
Xilinx Inc.
5AGXMB3G4F31I3N
Intel
EP4SE230F29I3N
Intel
EP3C25F324I7
Intel
EP20K200EQC208-2X
Intel