casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN3190LDW-13
Número de pieza del fabricante | DMN3190LDW-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN3190LDW-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3190LDW-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 190 mOhm @ 1.3A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 2nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 87pF @ 20V |
Potencia - max | 320mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-363 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3190LDW-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN3190LDW-13-FT |
DMG4511SK4-13
Diodes Incorporated
DMC4029SK4-13
Diodes Incorporated
DMTH4011SPDQ-13
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DMTH4011SPD-13
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DMC1018UPD-13
Diodes Incorporated
DMC6070LND-13
Diodes Incorporated
XA3S1600E-4FGG400I
Xilinx Inc.
M2GL060TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
A42MX24-FPQG208
Microsemi Corporation
EPF10K50EFC256-3N
Intel
5SGXEA9K3H40C2LN
Intel
5SGXMA7H1F35C1N
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10AX115H2F34I2SG
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5AGTMC3D3F31I5N
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EP20K100CQ208C8ES
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