casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN3032LFDB-7

            | Número de pieza del fabricante | DMN3032LFDB-7 | 
|---|---|
| Número de parte futuro | FT-DMN3032LFDB-7 | 
| SPQ / MOQ | Contáctenos | 
| Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others | 
| serie | - | 
| DMN3032LFDB-7 Estado (ciclo de vida) | En stock | 
| Estado de la pieza | Active | 
| Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) | 
| Característica FET | Standard | 
| Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V | 
| Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.2A | 
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 30 mOhm @ 5.8A, 10V | 
| Vgs (th) (Max) @ Id | 2V @ 250µA | 
| Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 10.6nC @ 10V | 
| Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 500pF @ 15V | 
| Potencia - max | 1W | 
| Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) | 
| Tipo de montaje | Surface Mount | 
| Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad | 
| Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type B) | 
| País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN | 
| DMN3032LFDB-7 Peso | Contáctenos | 
| Número de pieza de repuesto | DMN3032LFDB-7-FT | 

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