casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN3023L-13
Número de pieza del fabricante | DMN3023L-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN3023L-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN3023L-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 6.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 2.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 25 mOhm @ 4A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 18.4nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 873pF @ 15V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 900mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 155°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN3023L-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN3023L-13-FT |
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Diodes Incorporated
A1010B-2VQ80I
Microsemi Corporation
EPF10K30ATC144-1
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XC3S500E-4PQ208I
Xilinx Inc.
AFS090-2FG256I
Microsemi Corporation
AGL1000V5-FGG256I
Microsemi Corporation
LCMXO3L-4300C-5BG324I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C20F484C6
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10AX022E3F29I2LG
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