casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2170U-7
Número de pieza del fabricante | DMN2170U-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2170U-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2170U-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 2.3A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 70 mOhm @ 3A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | - |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 217pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 600mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2170U-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2170U-7-FT |
DMN10H220L-13
Diodes Incorporated
DMN13H750S-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DMN2055U-13
Diodes Incorporated
DMN2056U-13
Diodes Incorporated
DMN2230UQ-13
Diodes Incorporated
DMN24H11DSQ-13
Diodes Incorporated
XC3S50A-4TQ144I
Xilinx Inc.
M1A3P400-FGG256
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP3C40F484C7N
Intel
10M40SAE144I7G
Intel
5SGXEBBR1H43C2LN
Intel
LCMXO2-7000HE-4FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9C6F23I7N
Intel
EP20K200CB356C9
Intel
EPF8820AQC208-4AA
Intel