casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN2022UNS-13
Número de pieza del fabricante | DMN2022UNS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2022UNS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2022UNS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 10.7A (Ta) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10.8 mOhm @ 4A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 20.3nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1870pF @ 10V |
Potencia - max | 1.2W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-PowerVDFN |
Paquete del dispositivo del proveedor | PowerDI3333-8 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2022UNS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2022UNS-13-FT |
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EP2S30F672C5N
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10M16DAF256I6G
Intel
5SGXEA7N3F45I3LN
Intel
XC4003E-4PC84I
Xilinx Inc.
AGL400V5-FG144I
Microsemi Corporation
A40MX04-3PQG100
Microsemi Corporation