casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN2019UTS-13
Número de pieza del fabricante | DMN2019UTS-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2019UTS-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2019UTS-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Logic Level Gate |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 5.4A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 18.5 mOhm @ 7A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 950mV @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 8.8nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 143pF @ 10V |
Potencia - max | 780mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 8-TSSOP (0.173", 4.40mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 8-TSSOP |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2019UTS-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2019UTS-13-FT |
SIL2623-TP
Micro Commercial Co
SSM6N43FU,LF
Toshiba Semiconductor and Storage
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