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Diodes Incorporated DMN2011UFDF-13

Número de pieza de MFG
DMN2011UFDF-13
Cantidad disponible
76540 Piezas
Precio de referencia
USD 0.1348
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 20V 14.2A UDFN2020-6
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMN2011UFDF-13
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN2011UFDF-13 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 20V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 14.2A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.5V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 56nC @ 10V
Vgs (Max) ±12V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2248pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 2.1W (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor U-DFN2020-6 (Type F)
Paquete / Caja 6-UDFN Exposed Pad
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN2011UFDF-13 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMN2011UFDF-13-FT

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