casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN2011UFDF-13
Número de pieza del fabricante | DMN2011UFDF-13 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2011UFDF-13 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2011UFDF-13 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.2A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 1.5V, 4.5V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 9.5 mOhm @ 7A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 56nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±12V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2248pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 2.1W (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2020-6 (Type F) |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2011UFDF-13 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2011UFDF-13-FT |
DMN3067LW-13
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
XC4052XL-2HQ304I
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EP3SL200F1517I4
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XC2V1000-5BGG575I
Xilinx Inc.
LFXP6E-4FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LFXP2-17E-6QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3LF-1300E-5MG121C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX016E4F29E3SG
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EP3C120F780I7
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EPF8452AQC160-3
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5SGSMD3H2F35C1N
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