casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN2010UDZ-7
Número de pieza del fabricante | DMN2010UDZ-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2010UDZ-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2010UDZ-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 24V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 11A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 7 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 33.2nC @ 4.5V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 2665pF @ 10V |
Potencia - max | 700mW |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2535-6 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2010UDZ-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2010UDZ-7-FT |
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XCKU3P-2FFVD900I
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LFE3-35EA-6LFN484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-1200HC-5MG132CR1
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C6
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EPF10K130EBC356-1
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5SGXEA3H3F35I3L
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