casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Arreglos / DMN2008LFU-7
Número de pieza del fabricante | DMN2008LFU-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN2008LFU-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN2008LFU-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | 2 N-Channel (Dual) |
Característica FET | Standard |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 20V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 14.5A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5.4 mOhm @ 5.5A, 4.5V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 1.5V @ 250A |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 42.3nC @ 10V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 1418pF @ 10V |
Potencia - max | 1W |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 6-UFDFN Exposed Pad |
Paquete del dispositivo del proveedor | U-DFN2030-6 (Type B) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN2008LFU-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN2008LFU-7-FT |
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A42MX24-PQG208
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A3PE1500-1PQG208I
Microsemi Corporation
LFE5UM5G-45F-8BG381C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C55F484C6
Intel
EP4CE30F23A7N
Intel
5SGXMA9N1F45C2LN
Intel
XC5VSX240T-1FFG1738CES
Xilinx Inc.
M1A3PE1500-FGG676I
Microsemi Corporation
5AGXMB5G4F35I5N
Intel
EP20K60EQC208-2XN
Intel