casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN13H750S-7
Número de pieza del fabricante | DMN13H750S-7 |
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Número de parte futuro | FT-DMN13H750S-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN13H750S-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 130V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 6V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 750 mOhm @ 2A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.6nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 231pF @ 25V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 770mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-23 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN13H750S-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN13H750S-7-FT |
2N7002K-7
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XCV1000E-8FG900C
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LCMXO3L-9400C-5BG484I
Lattice Semiconductor Corporation
M1AGL250V2-VQ100
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M1AGL250V5-VQG100
Microsemi Corporation
EP2S60F484C5
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5SGXMA7K3F40C3
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XC4020E-2HQ208I
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5AGXMA7G4F35I5N
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EPF8820QC160-4
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