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Diodes Incorporated DMN1019USN-13

Número de pieza de MFG
DMN1019USN-13
Cantidad disponible
74420 Piezas
Precio de referencia
USD 0.105112
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fabricante
Diodes Incorporated
Breve descripción
- MOSFET N-CH 12V 9.3A SC59
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Transistores - FETs, MOSFETs - Single
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Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de parte futuro FT-DMN1019USN-13
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Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
DMN1019USN-13 Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Active
Tipo FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) 12V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C 9.3A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) 1.2V, 2.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs 10 mOhm @ 9.7A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id 800mV @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs 50.6nC @ 8V
Vgs (Max) ±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 2426pF @ 10V
Característica FET -
Disipación de potencia (max) 680mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor SC-59
Paquete / Caja TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMN1019USN-13 Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto DMN1019USN-13-FT

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