casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - FETs, MOSFETs - Single / DMN100-7-F
Número de pieza del fabricante | DMN100-7-F |
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Número de parte futuro | FT-DMN100-7-F |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DMN100-7-F Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo FET | N-Channel |
Tecnología | MOSFET (Metal Oxide) |
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss) | 30V |
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C | 1.1A (Ta) |
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado) | 4.5V, 10V |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 240 mOhm @ 1A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 1mA |
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs | 5.5nC @ 10V |
Vgs (Max) | ±20V |
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds | 150pF @ 10V |
Característica FET | - |
Disipación de potencia (max) | 500mW (Ta) |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete del dispositivo del proveedor | SC-59-3 |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DMN100-7-F Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DMN100-7-F-FT |
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A3P1000-2FGG484I
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XC4020E-4HQ208I
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XC7VX690T-1FFG1930C
Xilinx Inc.
A42MX09-TQ176
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M1A3P1000L-FGG144
Microsemi Corporation
ICE40UL1K-CM36AITR1K
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EP4SGX230HF35C2
Intel