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Diodes Incorporated DMG3415UFY4Q-7

Name: DMG3415UFY4Q-7
Brand: Diodes Incorporated
SKU: DMG3415UFY4Q-7
Price: 0.141048 USD
Availability: InStock
Rating: 4.6 (394 reviews)

Número de pieza de MFG: DMG3415UFY4Q-7

Cantidad disponible: 79850 Piezas

Precio de referencia: USD 0.141048

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fabricante: Diodes Incorporated

Breve descripción: - MOSFET P-CH 16V 2.5A X2-DFN2015

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Transistores - FETs, MOSFETs - Single

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: DMG3415UFY4Q-7.pdf

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DMG3415UFY4Q-7 Presupuesto

Número de pieza del fabricante	DMG3415UFY4Q-7
Número de parte futuro	FT-DMG3415UFY4Q-7
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
DMG3415UFY4Q-7 Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnología	MOSFET (Metal Oxide)
Drenaje a la fuente de voltaje (Vdss)	16V
Corriente - Drenaje continuo (Id) a 25 ° C	2.5A (Ta)
Voltaje de impulsión (Rds máximo activado, Rds mínimo activado)	1.8V, 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	39 mOhm @ 4A, 4.5V
Vgs (th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Carga de la puerta (Qg) (Max) @ Vgs	10nC @ 4.5V
Vgs (Max)	±8V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds	282pF @ 10V
Característica FET	-
Disipación de potencia (max)	650mW (Ta)
Temperatura de funcionamiento	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete del dispositivo del proveedor	X2-DFN2015-3
Paquete / Caja	3-XDFN
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
DMG3415UFY4Q-7 Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	DMG3415UFY4Q-7-FT

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