casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - RF / DME2333-000
Número de pieza del fabricante | DME2333-000 |
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Número de parte futuro | FT-DME2333-000 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DME2333-000 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky - Single |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 3V |
Actual - max | 100mA |
Capacitancia a Vr, F | 0.15pF @ 0V, 1MHz |
Resistencia @ Si, F | 13 Ohm @ 5mA, 18GHz |
Disipación de potencia (max) | 75mW |
Temperatura de funcionamiento | -65°C ~ 175°C (TA) |
Paquete / Caja | - |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DME2333-000 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DME2333-000-FT |
UPP1001E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1001E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002/TR7
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1002E3/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004/TR7
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR13
Microsemi Corporation
UPP1004E3/TR7
Microsemi Corporation
XC2V1500-5FGG676C
Xilinx Inc.
XC7A100T-2FGG484I
Xilinx Inc.
MPF300T-FCG1152E
Microsemi Corporation
A42MX09-3VQG100I
Microsemi Corporation
5SGSMD8N3F45C4N
Intel
XC6VCX240T-1FFG1156I
Xilinx Inc.
5CGXFC5C7F23C8N
Intel
10AX066K2F35E2LG
Intel
EP2SGX130GF1508C4
Intel
EP4SGX110DF29C4
Intel