casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFEH12060D-4R7M=P3
Número de pieza del fabricante | DFEH12060D-4R7M=P3 |
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Número de parte futuro | FT-DFEH12060D-4R7M=P3 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFEH12060D |
DFEH12060D-4R7M=P3 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | - |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 4.7µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 10A |
Corriente - Saturación | 14A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 11 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | AEC-Q200 |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 155°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 100MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | Nonstandard |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.512" L x 0.496" W (13.00mm x 12.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.236" (6.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFEH12060D-4R7M=P3 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFEH12060D-4R7M=P3-FT |
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XC3S500E-4VQG100I
Xilinx Inc.
A54SX32A-2TQG176I
Microsemi Corporation
M2GL025T-1FGG484
Microsemi Corporation
10AX032E3F29I2SG
Intel
EP4CGX22BF14C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
5SGXEA4H2F35I2N
Intel
A40MX02-1PQ100M
Microsemi Corporation
LFEC10E-4F256I
Lattice Semiconductor Corporation
EP2SGX130GF40C4NES
Intel