casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE252012P-R68M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE252012P-R68M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE252012P-R68M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE252012P |
DFE252012P-R68M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Iron Powder |
Inductancia | 680nH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 3.5A |
Corriente - Saturación | 4.8A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 37 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 1008 (2520 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Tamaño / Dimensión | 0.098" L x 0.079" W (2.50mm x 2.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.047" (1.20mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE252012P-R68M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE252012P-R68M=P2-FT |
LQG15WZ1N1C02D
Murata Electronics North America
LQG15WZ1N1S02D
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Xilinx Inc.
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Microsemi Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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Lattice Semiconductor Corporation
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