casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE201610E-100M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE201610E-100M=P2 |
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Número de parte futuro | FT-DFE201610E-100M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201610E |
DFE201610E-100M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 10µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 650mA |
Corriente - Saturación | 1A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 780 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0806 (2016 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0806 (2016 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.063" W (2.00mm x 1.60mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201610E-100M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE201610E-100M=P2-FT |
2474R-31K
API Delevan Inc.
2474R-32J
API Delevan Inc.
2474R-32K
API Delevan Inc.
2474R-33J
API Delevan Inc.
2474R-33K
API Delevan Inc.
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API Delevan Inc.
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2474R-36J
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LCMXO1200C-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
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Microsemi Corporation
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Xilinx Inc.
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