casa / productos / Inductores, bobinas, bobinas / Inductores fijos / DFE201210U-2R2M=P2
Número de pieza del fabricante | DFE201210U-2R2M=P2 |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DFE201210U-2R2M=P2 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | DFE201210U |
DFE201210U-2R2M=P2 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo | Wirewound |
Material - Núcleo | Metal |
Inductancia | 2.2µH |
Tolerancia | ±20% |
Valoración actual | 1.2A |
Corriente - Saturación | 2A |
Blindaje | Shielded |
Resistencia DC (DCR) | 228 mOhm Max |
Q @ Freq | - |
Frecuencia - Auto-resonante | - |
Calificaciones | - |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Frecuencia de Inductancia - Prueba | 1MHz |
Caracteristicas | - |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0805 (2012 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0805 (2012 Metric) |
Tamaño / Dimensión | 0.079" L x 0.047" W (2.00mm x 1.20mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.039" (1.00mm) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DFE201210U-2R2M=P2 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DFE201210U-2R2M=P2-FT |
DFE252010P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE252010P-4R7M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610R-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
1269AS-H-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201610P-R68M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612P-R33M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-1R0M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-1R5M=P2
Murata Electronics North America
DFE201612PD-R33M=P2
Murata Electronics North America
A42MX09-2PQG100
Microsemi Corporation
XC6SLX100-3FGG676I
Xilinx Inc.
LFE2M100SE-5F1152I
Lattice Semiconductor Corporation
AT6003LV-4AC
Microchip Technology
5SGTMC7K2F40C1N
Intel
5SGXEA4H2F35C1N
Intel
5SGXMA3K1F35C2N
Intel
5CGTFD5C5F23C7N
Intel
10AX090S4F45E3SG
Intel
EP2SGX60DF780C3
Intel