casa / productos / Condensadores / Condensadores de ceramica / DE6E3KJ102MB3B
Número de pieza del fabricante | DE6E3KJ102MB3B |
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Número de parte futuro | FT-DE6E3KJ102MB3B |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | KJ |
DE6E3KJ102MB3B Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Capacidad | 1000pF |
Tolerancia | ±20% |
Tensión nominal | 300VAC |
Coeficiente de temperatura | E |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C |
Caracteristicas | High Voltage |
Calificaciones | AEC-Q200, X1, Y2 |
Aplicaciones | Safety, Automotive |
Tasa de fracaso | - |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | Radial, Disc |
Tamaño / Dimensión | 0.276" Dia (7.00mm) |
Altura - Sentado (Max) | 0.394" (10.00mm) |
Espesor (Max) | - |
Espaciamiento del plomo | 0.295" (7.50mm) |
Estilo de plomo | Formed Leads |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DE6E3KJ102MB3B Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DE6E3KJ102MB3B-FT |
DEBB33A471KP2A
Murata Electronics North America
DEBB33D101KC1B
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XC3S50AN-4FT256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
XCKU095-2FFVC1517E
Xilinx Inc.
A3P125-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP4CGX150CF23C8
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
LCMXO2-256HC-5MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115S3F45I2LG
Intel
EP2S90F780I4N
Intel
EP3SL70F780I3N
Intel