casa / productos / Productos semiconductores discretos / Transistores - Bipolar (BJT) - Solos, Pre-polariza / DDTC123YE-7
Número de pieza del fabricante | DDTC123YE-7 |
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Número de parte futuro | FT-DDTC123YE-7 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DDTC123YE-7 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Discontinued at Future Semiconductor |
Tipo de transistor | NPN - Pre-Biased |
Corriente - Colector (Ic) (Max) | 100mA |
Voltaje - Desglose del emisor del colector (máx.) | 50V |
Resistor - Base (R1) | 2.2 kOhms |
Resistor - Base del emisor (R2) | 10 kOhms |
Ganancia de corriente DC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 33 @ 10mA, 5V |
Saturación Vce (Max) @ Ib, Ic | 300mV @ 500µA, 10mA |
Corriente - Corte del colector (Máx.) | 500nA |
Frecuencia - Transición | 250MHz |
Potencia - max | 150mW |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SOT-523 |
Paquete del dispositivo del proveedor | SOT-523 |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DDTC123YE-7 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DDTC123YE-7-FT |
DDTC125TCA-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DDTD142TC-7
Diodes Incorporated
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Diodes Incorporated
DDTA114EE-7-F
Diodes Incorporated
DDTC143EE-7-F
Diodes Incorporated
XC7A50T-2FTG256C
Xilinx Inc.
A3P250-VQ100I
Microsemi Corporation
EPF10K50VFC484-2
Intel
5SGXMA7N2F40C2N
Intel
EP4SE360H29C4N
Intel
LCMXO2-7000HE-4BG256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE3-150EA-6FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX260FF35C6NES
Intel
5SGXEA3H3F35C2LN
Intel
EP1SGX25FF1020C5N
Intel