Número de pieza del fabricante | DBD250G |
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Número de parte futuro | FT-DBD250G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DBD250G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 600V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 6A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.05V @ 12.5A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 600V |
Temperatura de funcionamiento | 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-Square |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DBD250G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DBD250G-FT |
APTDC20H601G
Microsemi Corporation
APTDF100H1201G
Microsemi Corporation
APTDF100H120G
Microsemi Corporation
APTDF100H60G
Microsemi Corporation
APTDF200H20G
Microsemi Corporation
APTDR70X1601G
Microsemi Corporation
B412F-2
Sensata-Crydom
B483B-2
Sensata-Crydom
B483B-2T
Sensata-Crydom
B483G-2T
Sensata-Crydom
XC2S200E-6PQ208C
Xilinx Inc.
EP1K10TC100-3
Intel
5SGSMD8K3F40I4N
Intel
5SGXEA7H2F35C2
Intel
EP3SL340H1152I4LN
Intel
LFE2M70SE-6FN900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-4M132I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC9E6F31I7N
Intel
10AX115N3F45I2SGE2
Intel
EP2SGX60DF780C3N
Intel