casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / DB4X501K0R
Número de pieza del fabricante | DB4X501K0R |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DB4X501K0R |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB4X501K0R Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 2 Independent |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 50V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.6ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 200µA @ 50V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-61AB |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini4-G4-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB4X501K0R Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB4X501K0R-FT |
FEP16BTA
ON Semiconductor
FEP16BTD
ON Semiconductor
FEP16CT
ON Semiconductor
FEP16CTA
ON Semiconductor
FEP16CTD
ON Semiconductor
FEP16DT
ON Semiconductor
FEP16DTA
ON Semiconductor
FEP16DTD
ON Semiconductor
FEP16FT
ON Semiconductor
FEP16FTA
ON Semiconductor
XC3S1000-4FG456C
Xilinx Inc.
M2GL050TS-1FCSG325I
Microsemi Corporation
M1AGLE3000V2-FGG484
Microsemi Corporation
EPF10K50SFC484-3
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5SGXMA5N2F40I3N
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5SGSMD3E3H29C2N
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EP3SE110F1152C4N
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XC2V1500-4BG575I
Xilinx Inc.
5CEFA5U19C6N
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10AX090N2F40E1SG
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