casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Arreglos / DB3X313J0L
Número de pieza del fabricante | DB3X313J0L |
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Número de parte futuro | FT-DB3X313J0L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB3X313J0L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Configuración de diodo | 1 Pair Common Anode |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - promedio rectificado (Io) (por diodo) | 200mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 550mV @ 200mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.5ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50µA @ 30V |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Paquete del dispositivo del proveedor | Mini3-G3-B |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB3X313J0L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB3X313J0L-FT |
1SS309(TE85L,F)
Toshiba Semiconductor and Storage
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