casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DB2J30900L
Número de pieza del fabricante | DB2J30900L |
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Número de parte futuro | FT-DB2J30900L |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2J30900L Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 100mA |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 580mV @ 100mA |
Velocidad | Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 1.3ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 2µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 3pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | SC-90, SOD-323F |
Paquete del dispositivo del proveedor | SMini2-F5-B |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 125°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2J30900L Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB2J30900L-FT |
DA2710100L
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MAU2D3000B
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XC2S200E-6PQ208I
Xilinx Inc.
A3P600-PQ208I
Microsemi Corporation
AT40K40AL-1EQC
Microchip Technology
EP3C25U256A7N
Intel
5SGSMD4E3H29I3N
Intel
5SGXMA3K2F35I3N
Intel
XC4003E-1PC84C
Xilinx Inc.
LFXP10C-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LAE3-35EA-6FN484E
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SL70F780C3
Intel