casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / DB2G32600L1
Número de pieza del fabricante | DB2G32600L1 |
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Número de parte futuro | FT-DB2G32600L1 |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB2G32600L1 Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Schottky |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 30V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 440mV @ 1A |
Velocidad | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | 10ns |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 900µA @ 30V |
Capacitancia a Vr, F | 32pF @ 10V, 1MHz |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 0402 (1005 Metric) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 0402 (1005 Metric) |
Temperatura de funcionamiento - Unión | 150°C (Max) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB2G32600L1 Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB2G32600L1-FT |
LQA30T300
Power Integrations
QH03TZ600
Power Integrations
QH12TZ600
Power Integrations
LQA03TC600
Power Integrations
LQA06T300
Power Integrations
LQA05TC600
Power Integrations
LQA16T300
Power Integrations
LXA10T600
Power Integrations
LXA04T600
Power Integrations
LQA10T300
Power Integrations
XCS40XL-5PQG208C
Xilinx Inc.
XC7A15T-1FGG484I
Xilinx Inc.
A3PE3000-FG484
Microsemi Corporation
LCMXO1200E-3FTN256I
Lattice Semiconductor Corporation
A42MX16-1VQ100M
Microsemi Corporation
5SGSMD4K3F40I3N
Intel
5SGSED6N2F45C2N
Intel
EP2SGX90EF1152C3ES
Intel
LFE2M100SE-5FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
5AGXBB7D4F35C4N
Intel