casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / DB106S-G
Número de pieza del fabricante | DB106S-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DB106S-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB106S-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DBS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106S-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB106S-G-FT |
TBS20J-TP
Micro Commercial Co
TBS22J-TP
Micro Commercial Co
TBS22M-TP
Micro Commercial Co
SDB103-TP
Micro Commercial Co
SDB156-TP
Micro Commercial Co
GBPC3504W-BP
Micro Commercial Co
KBP206-BP
Micro Commercial Co
KBP10M-BP
Micro Commercial Co
KBP06M-BP
Micro Commercial Co
KBP2005-BP
Micro Commercial Co
LCMXO2-640HC-5TG100C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-1FG256I
Microsemi Corporation
EP4S100G2F40I1N
Intel
AGLP030V2-CS289
Microsemi Corporation
AGL1000V5-CS281
Microsemi Corporation
AGL400V5-CSG196I
Microsemi Corporation
LFXP2-30E-6FT256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
EP3C40F780C8
Intel