casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / DB106S-G
Número de pieza del fabricante | DB106S-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DB106S-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB106S-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 800V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DBS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB106S-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB106S-G-FT |
TBS20J-TP
Micro Commercial Co
TBS22J-TP
Micro Commercial Co
TBS22M-TP
Micro Commercial Co
SDB103-TP
Micro Commercial Co
SDB156-TP
Micro Commercial Co
GBPC3504W-BP
Micro Commercial Co
KBP206-BP
Micro Commercial Co
KBP10M-BP
Micro Commercial Co
KBP06M-BP
Micro Commercial Co
KBP2005-BP
Micro Commercial Co
XCS10-3TQ144C
Xilinx Inc.
XC2VP2-6FG456C
Xilinx Inc.
A3P1000-FGG484I
Microsemi Corporation
EP3C25E144C8N
Intel
EP4SE530H40I3N
Intel
A42MX09-1PQG160M
Microsemi Corporation
LFE3-17EA-6MG328C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2-20E-7FN672C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEBA2U19C8N
Intel
EP2SGX90FF1508I4
Intel