Número de pieza del fabricante | DB104G |
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Número de parte futuro | FT-DB104G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB104G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 400V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 400V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Through Hole |
Paquete / Caja | 4-EDIP (0.321", 8.15mm) |
Paquete del dispositivo del proveedor | DB |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB104G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB104G-FT |
RDBF251-13
Diodes Incorporated
RDBF252-13
Diodes Incorporated
RDBF254-13
Diodes Incorporated
RDBF256-13
Diodes Incorporated
RDBF258-13
Diodes Incorporated
RDBF31-13
Diodes Incorporated
RDBF32-13
Diodes Incorporated
RDBF34-13
Diodes Incorporated
RDBF36-13
Diodes Incorporated
RDBF38-13
Diodes Incorporated
XC7A15T-L1FTG256I
Xilinx Inc.
XCKU11P-3FFVE1517E
Xilinx Inc.
M2GL010S-1FG484I
Microsemi Corporation
A42MX36-1PQ208I
Microsemi Corporation
EP1S25F672C6
Intel
LFE2M100E-6FN900I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115H3F34I2SGE2
Intel
5AGXFB1H4F35I5G
Intel
10AX027E1F27E1SG
Intel
EPF10K100EQC208-1X
Intel