casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Puentes Rectificadores / DB102S-G
Número de pieza del fabricante | DB102S-G |
---|---|
Número de parte futuro | FT-DB102S-G |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
DB102S-G Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Single Phase |
Tecnología | Standard |
Voltaje: pico inverso (máximo) | 100V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 1A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.1V @ 1A |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 10µA @ 100V |
Temperatura de funcionamiento | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 4-SMD, Gull Wing |
Paquete del dispositivo del proveedor | DBS |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
DB102S-G Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | DB102S-G-FT |
TBS22J-TP
Micro Commercial Co
TBS22M-TP
Micro Commercial Co
SDB103-TP
Micro Commercial Co
SDB156-TP
Micro Commercial Co
GBPC3504W-BP
Micro Commercial Co
KBP206-BP
Micro Commercial Co
KBP10M-BP
Micro Commercial Co
KBP06M-BP
Micro Commercial Co
KBP2005-BP
Micro Commercial Co
KBP201-BP
Micro Commercial Co
M1AGL1000V2-FGG256I
Microsemi Corporation
EP2S60F484I4N
Intel
EP4CE55F23C8L
Intel
XC2V8000-4FFG1152I
Xilinx Inc.
XA6SLX4-3CSG225I
Xilinx Inc.
LFEC33E-3F484C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200C-5BN256C
Lattice Semiconductor Corporation
10AX115R2F40E2SG
Intel
EP20K200EBC356-2X
Intel
EP1K10QC208-2N
Intel