casa / productos / Productos semiconductores discretos / Diodos - Rectificadores - Single / D1481N58T
Número de pieza del fabricante | D1481N58T |
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Número de parte futuro | FT-D1481N58T |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
D1481N58T Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de diodo | Standard |
Voltaje - Inversión de CC (Vr) (Máx.) | 5800V |
Corriente - Promedio Rectificado (Io) | 2200A |
Voltaje - Adelante (Vf) (Máx) @ Si | 1.8V @ 2500A |
Velocidad | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
Tiempo de recuperación inverso (trr) | - |
Corriente - Fuga inversa @ Vr | 50mA @ 5800V |
Capacitancia a Vr, F | - |
Tipo de montaje | Chassis Mount |
Paquete / Caja | DO-200AC, K-PUK |
Paquete del dispositivo del proveedor | - |
Temperatura de funcionamiento - Unión | -40°C ~ 160°C |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
D1481N58T Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | D1481N58T-FT |
EGP51F-E3/C
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51F-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
EGP51G-E3/D
Vishay Semiconductor Diodes Division
IDB15E60ATMA1
Infineon Technologies
JAN1N6643US
Semtech Corporation
SD4000C40R
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
1N4148W-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HG3-08
Vishay Semiconductor Diodes Division
BAV20WS-HG3-18
Vishay Semiconductor Diodes Division
A54SX16P-2TQG144I
Microsemi Corporation
LCMXO2-1200ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC7K410T-2FBG676C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF25C5
Intel
5SGXMABN3F45I3N
Intel
5SGXMA5H2F35I3N
Intel
XCV50-5BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-TQG176I
Microsemi Corporation
LFEC20E-3FN672I
Lattice Semiconductor Corporation
5CGXFC7D6F31I7
Intel