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CYDD09S36V18-200BBXC Image

Cypress Semiconductor Corp CYDD09S36V18-200BBXC

Número de pieza de MFG
CYDD09S36V18-200BBXC
Cantidad disponible
78110 Piezas
Precio de referencia
USD 0
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Fecha de envío
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fabricante
Cypress Semiconductor Corp
Breve descripción
- IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA
Estado sin plomo / estado RoHS
Cumple con RoHS (sin plomo)
Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL)
1 (ilimitado)
Código de fecha (D / C)
Nuevo
categoria de producto
Memoria
Recurso de stock
Distribuidor Franquiciado
Garantía
Garantía de calidad de 360 días.
ficha de datos
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Número de pieza del fabricante CYDD09S36V18-200BBXC
Número de parte futuro FT-CYDD09S36V18-200BBXC
SPQ / MOQ Contáctenos
Material de empaque Reel/Tray/Tube/Others
serie -
CYDD09S36V18-200BBXC Estado (ciclo de vida) En stock
Estado de la pieza Obsolete
Tipo de memoria Volatile
Formato de memoria SRAM
Tecnología SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria 9Mb (128K x 36 x 2)
Frecuencia de reloj 200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página -
Tiempo de acceso 500ps
interfaz de memoria Parallel
Suministro de voltaje 1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento 0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje Surface Mount
Paquete / Caja 256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor 256-FBGA (17x17)
País de origen USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CYDD09S36V18-200BBXC Peso Contáctenos
Número de pieza de repuesto CYDD09S36V18-200BBXC-FT

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