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Cypress Semiconductor Corp CYD09S18V18-200BBXC

Name: CYD09S18V18-200BBXC
Brand: Cypress Semiconductor Corp
SKU: CYD09S18V18-200BBXC
Availability: InStock
Rating: 4.9 (364 reviews)

Número de pieza de MFG: CYD09S18V18-200BBXC

Cantidad disponible: 87230 Piezas

Precio de referencia: USD 0

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Fecha de envío: Podemos enviar hoy

fabricante: Cypress Semiconductor Corp

Breve descripción: - IC SRAM 9M PARALLEL 256FBGA

Estado sin plomo / estado RoHS: Cumple con RoHS (sin plomo)

Nivel de sensibilidad a la humedad (MSL): 1 (ilimitado)

Código de fecha (D / C): Nuevo

categoria de producto: Memoria

Recurso de stock: Distribuidor Franquiciado

Garantía: Garantía de calidad de 360 días.

ficha de datos: CYD09S18V18-200BBXC.pdf

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CYD09S18V18-200BBXC Presupuesto

Número de pieza del fabricante	CYD09S18V18-200BBXC
Número de parte futuro	FT-CYD09S18V18-200BBXC
SPQ / MOQ	Contáctenos
Material de empaque	Reel/Tray/Tube/Others
serie	-
CYD09S18V18-200BBXC Estado (ciclo de vida)	En stock
Estado de la pieza	Obsolete
Tipo de memoria	Volatile
Formato de memoria	SRAM
Tecnología	SRAM - Dual Port, Synchronous
Tamaño de la memoria	9Mb (512K x 18)
Frecuencia de reloj	200MHz
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página	-
Tiempo de acceso	3.3ns
interfaz de memoria	Parallel
Suministro de voltaje	1.42V ~ 1.58V, 1.7V ~ 1.9V
Temperatura de funcionamiento	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo de montaje	Surface Mount
Paquete / Caja	256-LBGA
Paquete del dispositivo del proveedor	256-FBGA (17x17)
País de origen	USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN
CYD09S18V18-200BBXC Peso	Contáctenos
Número de pieza de repuesto	CYD09S18V18-200BBXC-FT

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