casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CYATB108LD-ZS45XI
Número de pieza del fabricante | CYATB108LD-ZS45XI |
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Número de parte futuro | FT-CYATB108LD-ZS45XI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CYATB108LD-ZS45XI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Non-Volatile |
Formato de memoria | NVSRAM |
Tecnología | NVSRAM (Non-Volatile SRAM) |
Tamaño de la memoria | 8Mb (1M x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 45ns |
Tiempo de acceso | 45ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.7V ~ 3.6V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 44-TSOP (0.400", 10.16mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 44-TSOP II |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CYATB108LD-ZS45XI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CYATB108LD-ZS45XI-FT |
CY7C1041GE30-10ZSXI
Cypress Semiconductor Corp
CY621472E30LL-45ZSXA
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FM28V102A-TG
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Microsemi Corporation
AT40K20AL-1CQC
Microchip Technology
EP4CE6F17C8
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10AX027H2F35I2LG
Intel
A42MX09-PQG100I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-6FG484C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2AGX190FF35C4N
Intel
5CEFA2M13C8N
Intel
EP4SGX110FF35C2XN
Intel