casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2670KV18-550BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C2670KV18-550BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C2670KV18-550BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2670KV18-550BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frecuencia de reloj | 550MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2670KV18-550BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2670KV18-550BZXI-FT |
S29GL032N90DFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFVR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI022
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI033
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI040
Cypress Semiconductor Corp
A54SX32A-1TQG144I
Microsemi Corporation
XC6SLX100T-2FG484I
Xilinx Inc.
A3P400-FG256
Microsemi Corporation
A42MX16-1VQ100I
Microsemi Corporation
EP3C80F484I7N
Intel
10CL120YF484C8G
Intel
A42MX16-TQ176A
Microsemi Corporation
5AGTFD7H3F35I5N
Intel
EP4SGX230DF29I4
Intel
EP1K100QC208-2N
Intel