casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2670KV18-450BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C2670KV18-450BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C2670KV18-450BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2670KV18-450BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frecuencia de reloj | 450MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2670KV18-450BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2670KV18-450BZI-FT |
S29GL128S90DHSS33
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS40
Cypress Semiconductor Corp
S29GL128S90DHSS43
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHA010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI013
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS13
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512S10DHSS20
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XC7A50T-2FG484I
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XC4028XL-2BG256I
Xilinx Inc.
A42MX09-1TQG176M
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M1A3P400-FGG144
Microsemi Corporation
LFEC6E-5FN256C
Lattice Semiconductor Corporation
LFE2M50E-6F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO256C-4M100C
Lattice Semiconductor Corporation
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EP4CE55F29I8L
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