casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2644KV18-333BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C2644KV18-333BZI |
---|---|
Número de parte futuro | FT-CY7C2644KV18-333BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2644KV18-333BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2644KV18-333BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2644KV18-333BZI-FT |
S29GL032N90DFBR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFBR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFVR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI022
Cypress Semiconductor Corp
M2GL025TS-1FGG484I
Microsemi Corporation
A54SX16A-FFG256
Microsemi Corporation
MPF200T-FCG484E
Microsemi Corporation
5CGXFC5C6F27C7N
Intel
5SGSED6N1F45C2LN
Intel
5SGXEB9R3H43C2L
Intel
A42MX24-1PQG160M
Microsemi Corporation
10M16DCU324A7G
Intel
5AGXMA1D6F31C6N
Intel
EP20K100EBC356-3N
Intel