casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2644KV18-333BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C2644KV18-333BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C2644KV18-333BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2644KV18-333BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 144Mb (4M x 36) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2644KV18-333BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2644KV18-333BZI-FT |
S29GL032N90DFBR20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFBR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI030
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFVR23
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV10
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL064N90DAI022
Cypress Semiconductor Corp
A40MX02-VQ80M
Microsemi Corporation
LAXP2-5E-5TN144E
Lattice Semiconductor Corporation
XC2V40-5FG256I
Xilinx Inc.
XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
Intel
EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel