casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C25632KV18-550BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C25632KV18-550BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C25632KV18-550BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C25632KV18-550BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II+ |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 550MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C25632KV18-550BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C25632KV18-550BZXI-FT |
S34ML04G100TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI900
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFI903
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G100TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML04G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
M2GL010TS-1FG484I
Microsemi Corporation
A54SX72A-PQG208
Microsemi Corporation
10M08DAF256C7G
Intel
5SGXEA4K1F40C2N
Intel
5SGXMA3E2H29I3L
Intel
EP4CE15E22C8L
Intel
EP4S100G3F45I2
Intel
XA7A35T-2CSG324I
Xilinx Inc.
AGL250V2-FG144
Microsemi Corporation
5SGSMD4H1F35C2N
Intel