casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C2170KV18-400BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C2170KV18-400BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C2170KV18-400BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C2170KV18-400BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, DDR II+ |
Tamaño de la memoria | 18Mb (512K x 36) |
Frecuencia de reloj | 400MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C2170KV18-400BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C2170KV18-400BZC-FT |
CY7C1425KV18-333BZC
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CY7C1426UV18-300BZC
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CY7C1512KV18-300BZI
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XC2V40-5FG256I
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XC4010E-4PQ208C
Xilinx Inc.
XC7A25T-2CSG325C
Xilinx Inc.
M1A3P1000-2FGG256
Microsemi Corporation
AGL060V2-VQ100
Microsemi Corporation
EP4CE15U14A7N
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EPF10K30EFC256-2N
Intel
EPF8636AQC208-3
Intel