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Número de pieza del fabricante | CY7C199D-25SXE |
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Número de parte futuro | FT-CY7C199D-25SXE |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C199D-25SXE Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Asynchronous |
Tamaño de la memoria | 256Kb (32K x 8) |
Frecuencia de reloj | - |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | 25ns |
Tiempo de acceso | 25ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 4.5V ~ 5.5V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 125°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 28-SOIC (0.295", 7.50mm Width) |
Paquete del dispositivo del proveedor | 28-SOIC |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C199D-25SXE Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C199D-25SXE-FT |
M27C512-90B1
STMicroelectronics
M27C512-90B6
STMicroelectronics
NM27C128N120
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NM27C128N150
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NM27C256N120
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NM27C256N150
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NM27C256NE150
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NM27C512N120
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NM27C512N150
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XA6SLX25-2FTG256I
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LFE2-20SE-7QN208C
Lattice Semiconductor Corporation
A3P400-FGG484
Microsemi Corporation
EP1S20F484I6N
Intel
5SEE9F45C2LN
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XC6VHX380T-2FFG1154C
Xilinx Inc.
XC6VLX195T-1FFG1156C
Xilinx Inc.
EP2AGX65DF29I3
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5SGSMD4H3F35I4N
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EPF6016AFC100-1
Intel