casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1911KV18-333BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1911KV18-333BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1911KV18-333BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1911KV18-333BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 18Mb (2M x 9) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1911KV18-333BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1911KV18-333BZC-FT |
CY7C2270KV18-400BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2270XV18-600BZXC
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CY7C2270XV18-633BZXC
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CY7C2562XV18-366BZXC
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CY7C25632KV18-500BZC
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CY7C2563XV18-600BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2563XV18-600BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2563XV18-633BZC
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CY7C2564XV18-366BZC
Cypress Semiconductor Corp
XCKU035-1FBVA676I
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XC3S100E-4VQ100C
Xilinx Inc.
M2GL090TS-1FCSG325I
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A3PE3000-2FGG484I
Microsemi Corporation
A3PN030-Z1QNG48I
Microsemi Corporation
M1A3P250-2PQG208
Microsemi Corporation
EP4CE10F17A7N
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EPF10K30EFC256-3
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LFE2-20E-5F484C
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EP20K100EFC324-1
Intel