casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1911KV18-300BZXC
Número de pieza del fabricante | CY7C1911KV18-300BZXC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1911KV18-300BZXC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1911KV18-300BZXC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 18Mb (2M x 9) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1911KV18-300BZXC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1911KV18-300BZXC-FT |
CY7C2268XV18-633BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2270KV18-400BZXC
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CY7C2270XV18-600BZXC
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CY7C2563XV18-600BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2563XV18-600BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C2563XV18-633BZC
Cypress Semiconductor Corp
XCS10XL-4VQG100I
Xilinx Inc.
XC6SLX25T-3FGG484I
Xilinx Inc.
A3P250L-VQG100I
Microsemi Corporation
5CEBA4F17C6N
Intel
EP4CE22E22C8L
Intel
LFE2M100E-7F900C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO1200E-3B256C
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-4MG132C
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA7F23I7N
Intel
5AGTFC7H3F35I3G
Intel