casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1612KV18-300BZXI
Número de pieza del fabricante | CY7C1612KV18-300BZXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1612KV18-300BZXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1612KV18-300BZXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 144Mb (8M x 18) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1612KV18-300BZXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1612KV18-300BZXI-FT |
S29GL512T10DHI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV22
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DFI023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL512T10DHI010
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFA023
Cypress Semiconductor Corp
S29AL016J55FFM023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA020
Cypress Semiconductor Corp
S29GL01GT10DHA023
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N11DFIV20
Cypress Semiconductor Corp
S29GL032N90DAI010
Cypress Semiconductor Corp
LCMXO2-640ZE-1TG100I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE50F484C2
Intel
EP4CE115F23I8L
Intel
XC7VX415T-1FFG1157I
Xilinx Inc.
LFXP3E-4Q208I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-4000HC-6FG484I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO3L-640E-6MG121I
Lattice Semiconductor Corporation
EP3SE110F780C2N
Intel
EP20K100BC356-2N
Intel
EP4SGX360FF35C4
Intel