casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1513KV18-300BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1513KV18-300BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1513KV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1513KV18-300BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1513KV18-300BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1513KV18-300BZC-FT |
CY7C25442KV18-300BZI
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CY7C1565KV18-500BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1415KV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
A40MX04-VQ80I
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XC3S1000-4FG320I
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EP3SE50F484I4N
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XC4020XL-2BG256I
Xilinx Inc.
XC5VLX50-1FFG676I
Xilinx Inc.
LFE2M20SE-5FN256I
Lattice Semiconductor Corporation
LCMXO2-7000HC-6BG332I
Lattice Semiconductor Corporation
EP4CE115F29I7N
Intel
EPF10K30AQC240-3
Intel