casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1512KV18-333BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C1512KV18-333BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1512KV18-333BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512KV18-333BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 333MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512KV18-333BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1512KV18-333BZI-FT |
CY7C1382DV33-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414KV18-300BZC
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CY7C1518KV18-300BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1423KV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
XC3S500E-4CPG132C
Xilinx Inc.
APA075-FG144A
Microsemi Corporation
LFE3-35EA-8FTN256C
Lattice Semiconductor Corporation
5SGXEA7N1F45I2N
Intel
XC7S6-1CSGA225C
Xilinx Inc.
10M04SAM153I7G
Intel
5AGXFB5H4F35I3N
Intel
EP2AGX260FF35C6N
Intel
EP20K100EFC324-3
Intel
EPF8636AQC160-3N
Intel