casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1512KV18-250BZI
Número de pieza del fabricante | CY7C1512KV18-250BZI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1512KV18-250BZI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512KV18-250BZI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512KV18-250BZI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1512KV18-250BZI-FT |
CY7C1518KV18-250BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1370KV33-200BZXI
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CY7C1315KV18-250BZC
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Cypress Semiconductor Corp
EPF10K10TC144-4
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A3P125-2PQG208
Microsemi Corporation
A54SX16A-PQG208I
Microsemi Corporation
LFE2M70E-6F1152C
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5SGXMA5K2F35C3N
Intel
XC4028XL-1BG256C
Xilinx Inc.
A42MX24-3PL84
Microsemi Corporation
LFE2M20E-5F484I
Lattice Semiconductor Corporation
10AX066K2F40I2LG
Intel
EP3C80F780C8N
Intel