casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1512JV18-267BZIT
Número de pieza del fabricante | CY7C1512JV18-267BZIT |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1512JV18-267BZIT |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1512JV18-267BZIT Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 72Mb (4M x 18) |
Frecuencia de reloj | 267MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1512JV18-267BZIT Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1512JV18-267BZIT-FT |
CY7C1413BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413BV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413JV18-200BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413JV18-250BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413JV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413JV18-300BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1413JV18-300BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-167BZCT
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1414AV18-167BZI
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel