casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1474V25-200BGXI
Número de pieza del fabricante | CY7C1474V25-200BGXI |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1474V25-200BGXI |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | NoBL™ |
CY7C1474V25-200BGXI Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous |
Tamaño de la memoria | 72Mb (1M x 72) |
Frecuencia de reloj | 200MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | 3ns |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 2.375V ~ 2.625V |
Temperatura de funcionamiento | -40°C ~ 85°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 209-BGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 209-FBGA (14x22) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1474V25-200BGXI Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1474V25-200BGXI-FT |
CYD18S72V18-167BBXI
Cypress Semiconductor Corp
CYD18S72V18-200BBXC
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CYD36S36V18-167BBXI
Cypress Semiconductor Corp
CYD36S36V18-200BBXC
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A54SX08A-PQG208A
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M1AGL250V5-VQ100I
Microsemi Corporation
EP4CE40F23C8N
Intel
5AGXMA5D4F27I5N
Intel
XC7V585T-2FF1761I
Xilinx Inc.
LFE5U-12F-8BG256I
Lattice Semiconductor Corporation
5CEFA2F23I7N
Intel
10AX090R2F40E2SG
Intel
EP4CGX110DF31C8
Intel
EP2S180F1508C5
Intel