casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1426KV18-250BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1426KV18-250BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1426KV18-250BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1426KV18-250BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Active |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (4M x 9) |
Frecuencia de reloj | 250MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (13x15) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1426KV18-250BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1426KV18-250BZC-FT |
S34ML08G201TFV000
Cypress Semiconductor Corp
S34ML08G201TFV003
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI200
Cypress Semiconductor Corp
S34ML16G202TFI203
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFA003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB000
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFB003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFI003
Cypress Semiconductor Corp
S34MS01G200TFI903
Cypress Semiconductor Corp
EP1K30TC144-1N
Intel
LFEC3E-3T100I
Lattice Semiconductor Corporation
XC2S200-6PQG208C
Xilinx Inc.
APA300-PQ208
Microsemi Corporation
ICE65L04F-LCB132C
Lattice Semiconductor Corporation
EP2C35U484C8N
Intel
A42MX24-2PL84I
Microsemi Corporation
M1AGL1000V2-FGG144
Microsemi Corporation
LFE3-150EA-7FN672CTW
Lattice Semiconductor Corporation
EP4SGX180HF35I4N
Intel