casa / productos / Circuitos integrados (ICs) / Memoria / CY7C1426JV18-300BZC
Número de pieza del fabricante | CY7C1426JV18-300BZC |
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Número de parte futuro | FT-CY7C1426JV18-300BZC |
SPQ / MOQ | Contáctenos |
Material de empaque | Reel/Tray/Tube/Others |
serie | - |
CY7C1426JV18-300BZC Estado (ciclo de vida) | En stock |
Estado de la pieza | Obsolete |
Tipo de memoria | Volatile |
Formato de memoria | SRAM |
Tecnología | SRAM - Synchronous, QDR II |
Tamaño de la memoria | 36Mb (4M x 9) |
Frecuencia de reloj | 300MHz |
Tiempo de ciclo de escritura - Palabra, Página | - |
Tiempo de acceso | - |
interfaz de memoria | Parallel |
Suministro de voltaje | 1.7V ~ 1.9V |
Temperatura de funcionamiento | 0°C ~ 70°C (TA) |
Tipo de montaje | Surface Mount |
Paquete / Caja | 165-LBGA |
Paquete del dispositivo del proveedor | 165-FBGA (15x17) |
País de origen | USA/JAPAN/MALAYSIA/MEXICO/CN |
CY7C1426JV18-300BZC Peso | Contáctenos |
Número de pieza de repuesto | CY7C1426JV18-300BZC-FT |
CY7C1412AV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412AV18-167BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412AV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412AV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412AV18-250BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412AV18-250BZXC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412BV18-167BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412BV18-167BZXI
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412BV18-200BZC
Cypress Semiconductor Corp
CY7C1412BV18-200BZI
Cypress Semiconductor Corp
A3P400-1FGG256
Microsemi Corporation
M2GL050S-1VFG400I
Microsemi Corporation
EPF10K10ATC100-3
Intel
EP4CE15F23C7
Intel
A1010B-1PL44I
Microsemi Corporation
XC2VP7-6FFG672I
Xilinx Inc.
APA600-FGG676I
Microsemi Corporation
LCMXO2-4000HE-5FTG256C
Lattice Semiconductor Corporation
5CGTFD7D5F31I7N
Intel
10AX115R1F40E1SG
Intel